台积电深度披露2nm 3nm芯片技术演进

近日召开了2023年北美技术研讨会。台积电也在北美技术研讨会中披露了集团有可能在2025年到2026年期间或者以后的时间去推出N2 2nm生产节点计划的更多信息，台积电的N2系列制造技术也随着科技不断发展将会扩展到其他变化。

台积电在2022年推出的初始N2制造工艺也成为了代工厂第1个能够使用GAAFET晶体管的一个节点，台积电也将这个晶体管称为纳米片晶体管。GAAFET晶体管和之前的FinFET晶体管相比较起来GAAFET晶体管拥有更大的优势，包括能够拥有更低的漏电流，因为GAAFET晶体管通道的4个侧面都存在着闸机能够更好的去调整通道宽度能够获得更高的性能，同时还能够产生更低的功耗。

台积电在2022年推出这一项最新技术时候，就表示在相同的功率以及复杂性能之下，这项最新技术能够让晶体管的性能提高15%左右，或者是在使用相同的晶体管数量或者是相同的时钟下功耗将会降低最高到30%。