第三代半导体加速布局 多家上市公司均已积极布局

国内光电龙头公司三安光电正加速布局第三代半导体产业，或预示这个细分领域进入爆发前夜。最近两天，在昆山举办的“2017中国集成电路产业促进大会高峰论坛”上，5G与化合物半导体发展前景议题备受关注。

有业内人士分析认为，随着5G时代到来，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料将迎来发展机遇。三安光电、国民技术、扬杰科技、海特高新等多家上市公司均已积极布局。英飞凌（Infineon）方面预计，未来GaN将占据75%的基站射频功率器件市场。

第三代半导体脱颖而出

5G时代，一部手机可能就需要16颗PA（功率放大器）芯片，也需要更多的基站、大规模天线（MassiveMIMO）、滤波器等，这给第三代半导体带来发展机遇。在“2017中国集成电路产业促进大会高峰论坛”上，多位与会嘉宾聚焦5G与化合物半导体发展前景。

“锐迪科在射频前端市场厚积薄发，今年营收将再次回到1亿美元，预计2018年至2019年将继续高速增长。”锐迪科助理副总裁贾斌在论坛上介绍。锐迪科主要生产移动电话通讯支持芯片，包括功率放大器、转换器和接收器等。

第三代半导体的节能效果尤其值得称道。据苏州能讯技术副总裁裴轶介绍，如果采用GaN功放，就会较传统的LDMOS效率提升10%。这意味着每个基站可节电50瓦，全国基站每年可节电130亿度。因此，GaN是毫米波微基站功率放大器的最佳选择。QYResearch的市场研究报告显示，2016年全球射频前端市场规模为125亿美元，预计到2022年将达到259亿美元，年复合增长率为12.9%。

多家A股公司已布局

“在第三代半导体方面，三安光电将利用安芯基金，在RF射频、光通信、滤波器、电力电子等方面进行布局，目标是建设面向下一代无线通信GaN器件平台。”在本届高峰论坛上，三安光电RF市场总监陈文欣明确指出了公司具体布局方向。